В ДВФУ расширят работы по созданию спин-орбитроники

Дальневосточный федеральный университет (ДВФУ) расширит работы по созданию спин-орбитроники мирового уровня на базе действующей лаборатории. Об этом сообщили в пресс-службе Минобрнауки России.

В отличие от традиционной магнитной памяти, основанной, например, на привычных жестких магнитных дисках (HDD), память на основе переключения спина электрона позволит сократить расход энергии на устройствах в десятки раз. Таким образом увеличится время автономной работы гаджетов, а также уменьшится углеродный след от деятельности многочисленных дата-центров.

«При поддержке программы мегагрантов Минобрнауки России (нацпроекта «Наука и университеты») в ДВФУ действует лаборатория спин-орбитроники мирового уровня. Совместно с коллегами из Киотского университета ученые ДВФУ изучают и разрабатывают передовые технологии по магнетизму. <...> На базе лаборатории будет реализовываться полный технологический цикл: от научно-исследовательских работ до испытаний и, возможно, опытного производства экспериментальных образцов нового поколения электроники», — говорится в сообщении.

Создание прототипа ячейки магнитной памяти призвано повысить скорость записи и снизить энергопотребление более чем в сто раз по сравнению с лучшей современной памятью. Решаемые в лаборатории задачи полностью выполняют цели стратегического направления развития ДВФУ «Физика и материаловедение» по программе «Приоритет 2030», реализуемой Минобрнауки России.

«Магнитная память нового поколения, построенная на спин-орбитронных эффектах, в ближайшие 5-10 лет может выйти на широкий рынок и стать доступной каждому, благодаря чему могут появиться очень быстрые и энергоэффективные мобильные и вычислительные устройства», — приводит пресс-служба слова проректора по научной работе ДВФУ Александра Самардака.

Согласно целям национального проекта «Наука и университеты», Россия должна войти в пятерку стран, ведущих разработки в приоритетных областях. Нацпроекты, инициированные президентом РФ Владимиром Путиным, стартовали в 2019 году.