Ученые улучшают разработки датчиков магнитного поля и устройств памяти

Сотрудники Российского технологического университета (РТУ) в Москве при поддержке нацпроекта «Наука и университеты» провели исследования прямых и обратных магнитоэлектрических эффектов, что позволит развить разработки датчиков магнитного поля и энергоэффективных устройств памяти, сообщили в университете.

«Сотрудники из лаборатории физики для нейроморфных вычислительных систем РТУ „Московский институт радиотехники, электроники и автоматики“ исследовали магнитоэлектрические эффекты в гетероструктурах», — говорится в сообщении.

Уточняется, что полученные выводы позволят существенно усовершенствовать методы разработки и проектирования устройств измерения (датчиков) магнитного поля. Обычно они используются в современной электронике и различных технических областях для контроля движения, скорости, положения, направления тока и других параметров.

Кроме того, исследования магнитоэлектрических эффектов помогут развить способы разработки энергоэффективных устройств памяти, которые позволяют сохранять данные при отсутствии питания.

Согласно целям национального проекта «Наука и университеты», Россия должна войти в пятерку стран, ведущих разработки в приоритетных областях. Нацпроекты, инициированные президентом РФ Владимиром Путиным, стартовали в 2019 году.